Press release

Cambridge GaN Devices and IFPEN sign automotive inverter development deal

IFP Energies nouvelles (IFPEN) a signé un accord de collaboration avec Cambridge GaN Devices (CGD), entreprise de semi-conducteurs qui propose une gamme de composants à large bande GaN (nitrure de gallium) et haute efficacité énergétique, pour développer un onduleur innovant pour la mobilité électrique sur la base de dispositifs GaN avancés.